2026 年 10 月 27 日 —— 博视像元发布 BC-GM4MU3V10 与 BC-GM4MU3V10-VAC 两款科学级 sCMOS 相机。新品基于 Gpixel GSENSE6504BSI 背照式科学 CMOS 芯片,在 2048 × 2048、6.5 μm 像元的 420 万像素画幅上,实现 0.9 e⁻(rms)读出噪声、-30℃ 片温下 0.004 e⁻/像素/秒的暗电流与最高 300 fps 满幅帧率;VAC 机型采用 CF100 真空法兰,可直接装入真空腔体或光谱仪,面向半导体深紫外检测与量测、弱光光谱、脑科学与活细胞成像。

一、波长变短、信号变弱,噪声成为系统上限
半导体前道检测正沿两个方向收紧:缺陷尺寸随制程缩小,检测波长向深紫外迁移;而深紫外光源功率、光学透过率与材料吸收,又把到达传感器的光子数压到几十个量级。此时读出噪声不再可忽略,它直接决定缺陷“可检出”与“不可检出”;长曝光量测中的暗电流同样抬升背景、压缩动态范围。单分子荧光、超分辨与在体神经成像面对同一约束——信号以光子计数,曝光从毫秒延伸到数十秒,暗电流被完整累积。
二、三项能力,把探测极限推到单光子
亚电子读出噪声。0.9 e⁻(rms)使单光子电荷包可从噪声本底中分辨,弱信号不必再靠长时间累积或强照明换取信噪比;同等光源功率下可提升检出率,或降低光源负担与热效应。
深制冷与低暗电流。TEC 水冷制冷至 -30℃ 片温,暗电流 0.004 e⁻/像素/秒;60 秒曝光单像元累积暗电荷仅约 0.24 e⁻,长曝光由此成为可用手段。
真空密封。真空封装与 TEC 水冷结合,避免结露、污染与制冷效率衰减,消除反复除霜与温漂带来的标定漂移,适配连续运行数周的产线设备与长时程活细胞实验。
三、从深紫外到近红外
背照式结构在 450 nm 峰值量子效率达 95%,200–300 nm 平均量子效率保持 50% 以上,光谱响应覆盖 200–1100 nm。双增益 HDR 模式动态范围 83.4 dB,单帧兼顾强散射背景与微弱缺陷,省去多曝光合成的时间与配准误差。USB 3.2 Gen2x2 接口兼容 GenICam,支持自由、外部与 Link 触发,可作为标准组件接入既有运动平台、光源与采集软件。
四、两种形态与典型应用
标准机型面向常规光学系统;VAC 机型以 CF100 法兰直接安装于真空室或光谱仪,省去转接窗口的光损失与对准误差。两者共用成像核心与软件接口,便于整机厂平台化。
典型应用包括:半导体深紫外明场/暗场缺陷检测、掩模与晶圆表面复查、关键尺寸与套刻量测中的弱信号成像,以及碳化硅、氮化镓衬底与外延层缺陷表征;拉曼与荧光光谱、等离子体发射光谱及真空镀膜、刻蚀的原位监控;单分子成像、超分辨、光片与长时程活细胞成像、在体钙成像;量子光学单光子探测与自适应光学波前传感。
五、供货
两款机型即日起接受订购,提供评估样机、SDK 与集成支持,并可定制光学接口、制冷与真空方案。
六、关于博视像元
博视像元专注科学级与工业级成像产品,覆盖科学级 sCMOS、真空相机与高速成像系统,服务半导体检测、生命科学与光谱分析领域的设备厂商与科研机构。